Тут могла бы быть ваша реклама
Фото с сайта baikal24.ru
Международный коллектив исследователей предложил решение, которое приближает создание сверхбыстрой памяти SOT-MRAM. Она не теряет данные при отключении питания и может работать в десятки раз быстрее современных флеш-накопителей. О разработке рассказали в пресс-службе ДВФУ. Коллектив ученых из Дальневосточного федерального университета, Сахалинского государственного университета и научных центров Китая пытается решить одну из главных проблем современных гаджетов — разрыв в скорости между процессором и памятью. Процессоры уже научились считать с огромной скоростью, а память зачастую не успевает за ними. Предполагается, что новый тип памяти под названием SOT-MRAM сможет решить эту проблему. Он позволит записывать информацию в десятки раз быстрее, чем привычные флеш-накопители, и при этом будет тратить меньше энергии. Но у этой технологии до последнего времени оставался серьёзный недостаток: для работы требовалось внешнее магнитное поле, что делало конструкцию громоздкой и сложной. Исследователи из ДВФУ, СахГУ и китайских научных центров нашли способ обойти это ограничение. Они создали трёхслойную структуру: один магнитный слой намагничен горизонтально, второй — вертикально, а между ними расположили сверхтонкую прослойку вольфрама толщиной всего в один нанометр. Для сравнения — это в сто тысяч раз тоньше человеческого волоса! Несмотря на микроскопическую толщину, этот слой эффективно преобразует электрический ток в спиновый — тот самый, что переключает намагниче...